Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 13

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 75 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 92 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 483 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 185 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 30ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 310 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 211 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час виключення: 387ns

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 18.5ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 195 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 24ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1400 V
• 40 А
• 272 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 203.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 275 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 140ns | Час...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 142 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 4.2 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 49 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.15 | Час включення: 1.1µs | Час виключення: 26.5µs

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 51 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 2.3us | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 37ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 267 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 25 А
• 92,4 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 147 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 12ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1600 V
• 30 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 94 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.35 | Час виключення: 525ns

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 15ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 17 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.58 | Час виключення: 4.8us

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 34.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 22.5ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 240 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 80ns | Час...