Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• ST Microelectronics
• TO-92
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 0.5 А
• 0.32 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-92
• Биполярные NPN
• 400 V
• 700 V
• 1 А
• 9 V
• 1 Вт
• 5 - 30
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 V
• 19.5 А
• 12.3 А
• 3 ... 5 V
• 4 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 V
• 34 А
• 22 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 250 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Биполярные PNP+Di
• 80 V
• 80 V
• 25 А
• 130 Вт
• 300 - 15000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Биполярные NPN
• 700 V
• 1500V
• 8 А
• 9 V
• 125 Вт
• 5 - 30
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• Биполярные NPN + Diode
• 80 V
• 80 V
• 25 А
• 130 Вт
• 300 - 15000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 31 А
• 52 А
• 20 А
• 20 V
• 31 / 59 нс
• 208 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 20 А
• 12.6 А
• 3 ... 5 V
• 4 V
• 45 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-220F
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 450 V
• 800 V
• 8 А
• 9 V
• 85 Вт
• min 5
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-126
• Биполярные NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 2 А
• 9 V
• 45 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• SO8
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 0.25 А
• 0.16 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 620 V
• 30 V
• 3.8 А
• 2 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 70 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 14 А
• 7.6 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 150 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 18 А
• 11 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• IGBT + Diode
• 650 V
• 15 А
• 30 А
• 20 V
• 142 / 241 нс
• 136 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• D2PAK
• IGBT + Diode
• 600 V
• 20 А
• 35 А
• 20 А
• 20 V
• 31 / 50 нс
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• 14-PowerVQFN
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 V
• 5.8 А
• 3.7 А
• 2 ... 4 V
• 3 V
• 68 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• 8-PowerVDFN
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 7.8 / 7.8 А
• 5.5 / 5.5 А
• 22.5 / 22.5 мОм
• 30 / 30 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 65 W

Примечание: Схема соединения: Независимые|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 20 / 20 А

• 40 A
• 80 A
• 160 А
• 383 Вт
• 1.7 V
• ST Microelectronics
• 140 нс
• 141 нс
• TO-3P
• IGBT

Примечание: Single Retriggerable Monostable Multivibrator With Schmitt-Trigger Inputs

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• есть
• 132 нс
• 128 нс

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 114

• ST Microelectronics
• TO-247
• Другое
• 600 В
• 72 A
• 136 В
• 250 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 34 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 21 | Полный...

• ST Microelectronics
• TO-220
• Другое
• 550 В
• 56 A
• 25 В
• 110 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 14 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 10 | Полный...