Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Страница 8

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 44ns | ...

• Биполярные NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3
• 50 V
• 0,1 А
• 68
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 165ns

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 2 А
• 75
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 345 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 1300 V
• 33 А
• 180 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 127 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время выключения: 284ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 137 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 49 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 63ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 175 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.6 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 11ns | Время выключения: 72ns

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 33ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 60 А
• 308 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время включения: 26ns |...

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 600 V
• 16 А
• 42 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 15 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 68ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 31 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 56 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 34ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 99 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 380 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 600 V
• 60 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 340 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 90ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 60 А
• 350 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 340 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 82ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 45 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 45 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 32ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 20 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 4.2 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 190 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 31ns | ...