Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Pd 25 130 W

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

• Wayon
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 13 A
• 0,48 Ohm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 0.25mA | Ёмкость затвора: 1325 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 8 A
• 800 mOhm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 630 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 600 mOhm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 635 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 18 A
• 190 mOhm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1345 pF / 100 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 33 A
• 34 mOhm
• 130 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 247 pF / 25 V | Заряд затвора: 37 nC / 10 V | Диапазон номинальных...