Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Pd 25 160 W

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 49 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 63ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 60 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 98 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.15 | Время включения: 27ns | ...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 7 A
• 1,38 Ohm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2256 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 30 В
• 4 A
• 7 Ohm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 8 A
• 1,3 Ohm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2115 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 6,6 A
• 1,85 Ohm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 25 V | Заряд затвора: 102 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• SILIUP
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 130 A
• 4,8 mOhm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5360 pF / 40 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 669 pF / 40 V | Заряд затвора: 68 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 30 В
• 16 A
• 270 mOhm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1080 pF / 25 V | Заряд затвора: 53.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 В
• 16 A
• 280 mOhm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 675µA | Ёмкость затвора: 1600 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Диапазон номинальных...