Транзисторы для электронных компонентов

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,95 A
• 200 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 200 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 2,4 A
• 55 mOhm
• 480 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 432 pF / 15 V | Заряд затвора: 4.76 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 3,2 A
• 108 mOhm
• 2.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 315 pF / 50 V | Заряд затвора: 7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-3PBL
• 1200 V
• 50 А
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.65 | Время включения: 50ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• ONS
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,4 A
• 2 Ohm
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V / 10V

• ONS
• SOT523
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,073 A
• 7,5 Ohm
• 200 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 5V / 10V

• ONS
• SOT23-3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 1,3 A
• 220 mOhm
• 400 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 225 pF / 5 V | Заряд затвора: 5.5 nC / 4 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 8 Ohm
• 350 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3 V / 10 nA

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,32 A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 2 A
• 3,4 Ohm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 225 pF / 25 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.08 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT963
• 40 V
• 0,2 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 160