Транзисторы для электронных компонентов

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 9,5 A
• 0,95 Ohm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 25 V

• Utc
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 108 A
• 5,3 mOhm
• 107 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 500 pF / 25 V | Заряд затвора: 310 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 6 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 611 pF / 50 V | Заряд затвора: 68.5 nC / 10 V

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 3,4 mOhm
• 255 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 8800 pF / 50 V | Заряд затвора: 140 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 900 mOhm
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 3,5 A
• 3,7 Ohm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1154 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10,5 A
• 530 mOhm
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1090 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 8 A
• 540 mOhm
• 69 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 37 pF / 50 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 65 V
• 25 В
• 65 A
• 8,4 mOhm
• 98 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3139 pF / 32 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 220 A
• 2,9 mOhm
• 254 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 7830 pF / 30 V | Заряд затвора: 183 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 118 A
• 10,1 mOhm
• 227.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 309 pF / 30 V | Заряд затвора: 17.7 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 160 A
• 7,3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 572 pF / 75 V | Заряд затвора: 79 nC / 10 V

• Hangzhou Silan Microelectronics
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 4 V
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• TO-220
• -55...+150°C