Транзисторы для электронных компонентов

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 28 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 25ns | ...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 4,7 A
• 800 mOhm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 25V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V

• Renesas
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 1500 V
• 20 В
• 2,5 A
• 12 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 990 pF / 10 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 15V

• Jsmsemi
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 14 mOhm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...