Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 7

• 12 A
• Alpha&Omega
• SO-8
• SMD
• 30 В
• 25 В
• 60 A
• 100 A

• SOT-23
• Биполярные NPN
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 6 V
• 100 MHz
• 0.3 Вт
• 120 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 300 V
• 450 V
• 6 А
• 6 V
• 40 Вт
• min 500
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 200 А
• 50 A
• 100 A
• 437 Вт
• Jsmicro
• 20.2 н
• 35 нс
• 134 нс
• есть
• IGBT

• 880
• 800
• Fuxinsemi

Примечание: Бренд:: ST | Монтаж:: THT | Тип корпуса:: TO-92-3FORM | Vr - Макс. обратное напряжение , В:: 800 | Прямой ток , А:: 0.8 | Управляющий...

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6772 pF / 50 V | Заряд затвора: 90 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 6,5 mOhm
• 164 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 790 pF / 42.5 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Супербыстрые

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: 1000V | 2A | корпус: SMB (DO214AA)

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: 1000V | 1A | корпус: SMA

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 70 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 0.015 | Прямое падение напряжения...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 200 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 40 | Прямое падение напряжения...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 1 | Прямое падение напряжения...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 200 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 3 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• IGBT