Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 5

• A&O
• Полевые N-канальные
• 10,4 A
• 13 A
• 30 В
• 3,1 W
• 20 В
• 100 A
• 17

• A&O
• Полевые N-канальные
• 115 A
• 150 A
• 30 В
• 83 W
• 20 В
• 340 A
• 64

• Jcst
• IGBT
• 650 V
• 60 A
• 30 A
• 1,75 V
• 234 Вт
• 120 А
• есть

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 7 A
• 100 В
• 17 W
• 20 В
• 10 A
• 52

• Биполярные NPN

• Другое

• ST
• RD-91
• 800 V
• 50 mA
• 40 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 23 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 180 A

• Mic
• MB-25 (KBPC)
• 800 V
• 50 A
• Однофазный
• 400 A
• THT

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Импульсный. Производитель: JINGDAO. Корпус: SOD-123 | Uобр., V (RRM): 75 V | Iвыпр., A (If): 0,15 A | Монтаж: SMD | Падение напряжения...

• 17,8x12 мм.
• 2400 МГц
• 1,9...3,6 V
• SPI
• RF
• Приемопередатчик

Примечание: Скорость до 2Мбит. Тип модуляции: GFSK.

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Бренд:: DIODES | Тип корпуса:: SOPA-4 | Прямой ток , А:: 2 | Vr - Макс. обратное напряжение , В:: 1000 | Монтаж:: SMD

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Бренд:: ONS | Тип корпуса:: DO-214AB | Монтаж:: SMD | Падение напряжения , В:: 1.28 | Vr - Макс. обратное напряжение , В:: 600 | Прямой...

Примечание: Сопротивление:: 10-20 кОм

Примечание: Описание: Высокоточный модуль атмосферного давления. Диапазон измерения давления: 30…1250 kPa. Сверхнизкий уровень шума и потребления...

• Датчик уровня

Примечание: Бренд: KLS | Конфигурация контактов: SPTS | Ток: 2.5 | Материал: Нержавеющая сталь | Коммутируемая мощность: 50 Вт | Макс. рабочее...

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7