Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 6

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Не указан
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 28 mOhm
• 95 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 719 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• MDD
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Другое

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• THT
• 5.1

• Vishay

Примечание: Корпус: 5 mm | Длина волны максимальной чувствительности (λSmax), нм: 570 | Угол чувствительности (φ), °: 140 | Напряжение коллектор...

• Fuxinsemi
• Однофазный

Примечание: Средний выпрямленый ток (If(av)), А: 15 | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Монтажное отверстие 4,1x6,2

• Yangjie
• Однофазный
• THT

Примечание: Средний выпрямленый ток (If(av)), А: 6 | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 600 | Габаритные размеры (LxWxH), мм:...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: 1000V | 2A | корпус: SMB (DO214AA)

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: 1000V | 1A | корпус: SMA

• Yangjie
• Однофазный
• SMD

Примечание: Средний выпрямленый ток (If(av)), А: 3 | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Габаритные размеры (LxWxH), мм:...

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

Примечание: 10 шт.

Примечание: низковольтный