Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 6

• Фоточувствительные

Примечание: 5мм

Примечание: Бренд:: WEEN/NXP |

Примечание: Корпус: 18,3 мм | Описание: Резистивный датчик деформации (давления). Сопротивление резистивного датчика давления изменяется в...

Примечание: Бренд:: DC | Тип корпуса:: SMC | Монтаж:: SMD | Полярность:: Bidirectional | Рабочее напряжение , В:: 33 | Количество каналов:: 1 |...

• Выпрямительные и импульсные

• Пироэлектрический датчик

• Индуктивный

Примечание: Диаметр, мм: прямоугольный | Структура: PNP | Конфигурация контактов: NC | Дистанция детектирования, мм: 4 | Тип напряжения: DC |...

• Датчик положения

Примечание: Бренд: SHARP

• Индуктивный

Примечание: Бренд: OMCH | Диаметр, мм: М18 | Структура: PNP | Конфигурация контактов: NO+NC | Дистанция детектирования, мм: 8 | Тип напряжения: DC |...

• Датчик положения

Примечание: Бренд: HONEY | Тип выхода: Open Collector | Напряжение питания - макс.: 30 | Напряжение питания - мин.: 3.8 | Особенности: Bipolar | Тип...

• Шоттки

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 90 A
• 4,9 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1963 pF / 15 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 1 A
• 8,5 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 150 pF / 25 V | Заряд затвора: 4.8 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2050 pF / 30 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 700 V
• 16 В
• 3,5 A
• 900 mOhm
• 30.5 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 60µA | Ёмкость затвора: 211 pF / 400 V | Заряд затвора: 6.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V