Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 3

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• INFIN
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 16 A
• 6,6 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 50µA | Ёмкость затвора: 2820 pF / 15 V | Заряд затвора: 92 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 16 В
• 50 A
• 6,8 mOhm
• 143 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 3779 pF / 50 V | Заряд затвора: 49 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 23 A
• 3 mOhm
• 2.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4300 pF / 20 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Jcst
• 0.05 A
• 30 V
• 15 V
• SOT-23
• Биполярные NPN

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• Diotec Semiconductor
• MBS
• Однофазный
• SMD

Примечание: Средний выпрямленый ток (If(av)), А: 0.8 | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 800 | Габаритные размеры (LxWxH), мм:...

• Шоттки

Примечание: Производитель: TOSHIBA | Корпус: SMA (DO-214AC) | Обратное напряжение, Vrrm: 60 V | Прямой ток (per leg), If: 2 A | Падение напряжения,...

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 2 | Время восстановления (trr), нс:...

• IGBT

Примечание: Производитель: NXP | Корпус: SOD-323 | Uобр., V (RRM): 100 V | Iвыпр., A (If): 0,25 A | Монтаж: SMD | Падение напряжения Vf: 1,25 V

Примечание: Uзвор., V: 30 V | Описание: Добротность: >200 f=50МГц Uзвор=25В. Обратный ток: 0,5 мкA. Общая емкость: 5,15±0,85пФ.

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-223
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.1 A
• 125

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 30 V
• THT
• 140 A

• ВЧ
• Nxp
• SOT-223
• 6 GHz
• 12 V
• 15 V

• Биполярные PNP
• On
• SOT-23
• 25 V
• 30 V
• 0.5 A
• 100

• Биполярные NPN
• NEC
• SOT-23
• 250 MHz
• 50 V
• 60 V
• 0.1 A
• 400
• SMD

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Биполярные NPN
• Philips
• SOT-23
• 100 MHz
• 30 V
• 25 V
• 0.5 A
• 400
• SMD

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: IR. Корпус: TO-220AC | Vrr, V: 1200 V | Iav, A: 8.0 А | Время обратного восстановления Trr, ns: 95ns | Монтаж: THT

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: ON. Корпус: TO-220AC | Vrr, V: 400 V | Iav, A: 8.0 А | Время обратного восстановления Trr, ns: 70 ns | Монтаж: THT