Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 9

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: Toshiba | Корпус: SMA | DO-214AC | Vrr, V: 1000 V | Iav, A: 1.0 А | Время обратного восстановления Trr, ns: 75 ns |...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Выпрямительный. Производитель: Toshiba | Корпус: SMA | DO-214AC | Uобр., V (RRM): 1000 V | Iвыпр., A (If): 1.0 А | Может заменить: S1A,...

• SEP
• SOIC-4
• 800 V
• 1,0 А
• Однофазный
• 35 A
• SMD

• ST
• TO-220AB
• 600 V
• 35 mA
• 16 A

• JJM
• TO-220AB
• 600 V
• 35 mA
• 20 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-252
• 60 V
• SMD
• 50 A
• 3779

• 1.9
• 12 В
• 8 В
• Vishay

• Ограничительные

• Датчик температуры

Примечание: Диапазон измеряемых температур: -70...+500

• Индуктивный

Примечание: Диаметр, мм: М8 | Конфигурация контактов: NC | Дистанция детектирования, мм: 1 | Тип напряжения: AC | Напряжение питания - макс.: 250 |...

• Датчик положения

Примечание: Бренд: SHARP

• Датчик положения

Примечание: Бренд: SHARP

• Индуктивный

Примечание: Бренд: OMCH | Диаметр, мм: М30 | Конфигурация контактов: NO | Дистанция детектирования, мм: 15 | Тип напряжения: DC | Напряжение питания...

• Датчик давления

Примечание: Бренд: NXP

• Датчик положения

Примечание: Бренд: HONEY | Тип выхода: Open Collector | Напряжение питания - макс.: 30 | Напряжение питания - мин.: 3.8 | Особенности: Bipolar | Тип...

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 3.3
• BZV55
• 95 Ом
• SMD

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100