Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 10

• 800
• 1
• 5
• 12.5
• 1.3
• 12
• 12
• 600
• 100
• 0.78

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: Temic | Корпус: SOD-80 | Vrr, V: 100 V | Iav, A: 0,2 A |

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 60 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 5 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 45 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 20 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 600 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 2 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• 800
• 0.1 A
• 45 V
• 50 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Шоттки

• Другое

• 1000
• 5 A
• 80 V
• 80 V
• ST Microelectronics
• TO-220
• THT
• Биполярные NPN

• Guerte
• 76x63x30 мм
• 1000 V
• 50 A
• Однофазный
• 450 A
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 100 V
• SMD
• 63 A
• 3980

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247AC
• 200 V
• THT
• 50 A
• 4057

• Mic
• MB-25 (KBPC)
• 800 V
• 50 A
• Однофазный
• 400 A
• THT

• Nxp
• TO-220
• 800 V
• 15 mA

• Yj
• DO-41
• THT
• 5.6
• 1 W
• 0 to +0.045 %/°C

• Ограничительные

Примечание: Производитель: ST | Корпус: DO-201 | Пиковая мощность: 1500 W | Напряжение пробоя, Vbr: 350 V | Постоянное обратное напряжение, Vrm: 300...

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: Toshiba | Корпус: SMA | DO-214AC | Vrr, V: 1000 V | Iav, A: 1.0 А | Время обратного восстановления Trr, ns: 75 ns |...

• NPN
• TO-92-3

Примечание: Комплементарная пара: SS8550 | Рассеиваемая мощность: 1 Вт. | Напряжение КЭ максимальное: 25 В. | Ток коллектора: 1,5 А | Граничная...

• Другое
• A&O
• DFN-EP (3.3x3.3)
• SMD
• 20 В
• 8 В
• 50 А
• 200 A
• 83 W

Примечание: Рассеиваемая мощность при 100°C (Pd(100°C)), Вт: 33 | Сопротивление сток-исток при 4,5V (Rdson), Ом: 0.005 | Сопротивление сток-исток при...

• EG Micro

Примечание: Категория продукта:: Драйверы затвора IGBT, MOSFET | Монтаж:: SMD | Тип корпуса:: SO8 | Напряжение питания - мин.:: 10 V | Напряжение...

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO220F
• 20.2 А
• 12.7 A
• 0.171 Ом
• 4 V
• 3.5 ... 4.5 V
• 34 W

• Полевые P-канальные
• Umw
• SOT23
• -4.2 А
• -3.5 A
• 50 мОм
• 65 мОм
• 0.12 Ом
• -0.4 ... 1.3 V
• 1.4 W