Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 38

• Шоттки

• 0.1 A
• Diotec Semiconductor
• TO-92
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450
• Биполярные NPN

Примечание: Производитель: MURATA | Корпус: SMD 0603 BLM18

• Dc Components
• DB-1
• THT

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Габаритные размеры (LxWxH), мм: 8.5x6.5x2.6

• Шоттки

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220F

• International Rectifier
• DPAK
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 161 А
• 113 А
• 2.6 мОм
• 3.2 мОм
• 1.4 ... 2.3 V
• 140 W
• 3.4e-8

• Crmicro
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 100 А
• 100 А
• 20 V
• 428 W

Примечание: Схема соединения: Полумост

• EDFN 3x3
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 12 А
• 9 А
• 15.5 мОм
• 25 мОм
• 1 ... 3 V
• 1.5 V
• 2.5 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Wayon
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 V
• 36 А
• 20 А
• 3 ... 5 V
• 4 V
• 277 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Vishay Intertechnology, Inc.
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 9.6 А
• 2 ... 4 V
• 34 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• VG semi
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 25 V
• 320 А
• 226 А
• 2.6 ... 3.6 V
• 3.1 V
• 500 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• SOT-23
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 V
• -3.7 А
• -2.2 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -0.95 V
• 80 мОм
• -0.55 V
• 1.3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Umw
• D2PAK
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 50 А
• 33 А
• 12 мОм
• 16 Ом
• 1 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-3PN
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 25 А
• 5 V
• 3 MHz
• 125 Вт
• 10 - 50
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TooHong Korea
• TO-220
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 V
• -24 А
• 50 мОм
• -0.4 ... -1 V
• 75 мОм
• -0.7 V
• 60 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-3
• Биполярные NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN
• 250 V
• 250 V
• 8 А
• 5 V
• 30 MHz
• 50 Вт
• min 10
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Si-Tech
• TO-263
• Полевые N-канальные
• 68 V
• 25 V
• 80 А
• 65 А
• 2.5 ... 3.5 V
• 176 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Shenzhen Yongerjia Industry Co., Ltd.
• TO-92
• Биполярные PNP
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1 Вт
• 85 - 400
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Renesas Electronics Corporation
• TO-247
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 80 А
• 30 V
• 90 нс (typ)
• 260.4 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• REASUNOS
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 V
• 8 А
• 3 ... 4 V
• 30 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 V
• 6 А
• 3.8 А
• 3 ... 5 V
• 167 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• 8-PQFN (5x6)
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 100 А
• 2 ... 4 V
• 104 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Биполярные PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный