Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 40

• FeiHong
• TO-220
• Биполярные NPN
• 400 V
• 700 V
• 8 А
• 9 V
• 4 MHz
• 80 Вт
• 15 - 25
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Fairchild
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 V
• 8 А
• 2.8 А
• 3 ... 5 V
• 68 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• DP
• TO-252
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 80 А
• 61 А
• 3.9 мОм
• 5.4 мОм
• 0.8 ... 1.8 V
• 1.3 V
• 75 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Биполярные PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 V
• -4.9 / -4.9 А
• 80 / 80 мОм
• -1 ... -2 V
• -1.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• MT
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -5 А
• 20 / 30 мОм
• 28 / 48 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.5 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• International Rectifier
• PQFN 5X6 mm
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 100 А
• 1.55 мОм
• 2.4 мОм
• 1.35 ... 2.35 V
• 1.8 V
• 110 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный|Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса: 100 А

• Luguang Electronic
• Однофазный
• SMD

• Другое

• Шоттки

Примечание: Корпус: 16,6x41 мм | Описание: Фотоэлектрический датчик отражающий. Выход NPN, длина кабеля 2 м. Обнаружение объектов на расстоянии до...

• Ограничительные

• Dc Components
• Однофазный

Примечание: многодиапазонный, FM RDS LW MW SW SSB

• 12 A
• 35 mA
• 600 V
• Jsmsemi
• TO-220

• Semtech
• DO-41
• 1 W
• 5.1
• THT
• 49 mA

• 50 mA
• 800 V
• Luguang

• 2.5 mA
• 600 V
• Nxp

• Ограничительные

• Другое

• Ограничительные

Примечание: Напряжение пробоя (VBR), В 220 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт 600 | Полярность двунаправленный

• Yj
• Однофазный
• THT

• 0.5 Вт
• KLS
• 5 %
• 15
• BZX55
• SMD

• Супербыстрые