Транзисторы для электронных компонентов. Страница 14

• 0.5 A
• 0.7 Вт
• 60 V
• 50 V
• 5 V
• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 500 МГц

• 40..160
• 1 A
• 0.8 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Cdil
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• 2 A
• 1 Вт
• 80 V
• 60 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 175 МГц

• Cdil
• 4.0 А
• 32 V
• 32 V
• TO-126
• THT
• Биполярные NPN

• 1000
• 2 A
• 3 Вт
• 160 V
• 140 V
• 10 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 250 МГц

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Не указан
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,2 А
• 210
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.08 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 90
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 210
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 70

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264-5
• 260 V
• 15 А
• 75
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 260

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120