Транзисторы для электронных компонентов. Страница 8

• Fairchild
• TO-220
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 10 А
• 21 А
• 20 V
• 50 нс (typ)
• 167 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Crmicro
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 V
• 50 А
• 38.5 А
• 2 ... 4 V
• 240 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• CET
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 4.2 мОм
• 6 мОм
• 1 ... 3 V
• 100 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Alpha&Omega
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 10 А
• 2.5 ... 3.8 V
• 3.2 V
• 208 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 130 А
• 82 А
• 3 мОм
• 3.5 мОм
• 1.1 ... 2.1 V
• 1.5 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 V
• 52 А
• 27 А
• 2.5 ... 4 V
• 3 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 6.2 мОм
• 8 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 128 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 160 A
• 6590/110
• 40 V
• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные

• 12 A
• 104 W
• 1.65 V
• 600 V
• Vbsemi
• TO-220
• IGBT

• 11 A
• 50
• 800 V
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные

• 5 A
• 12
• 600 V
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 530 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 188ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 24 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 12ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.45 | Время включения: 11ns | ...