Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 12 А
• 20000
• THT

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 9 A
• 900 mOhm
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 25 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 14 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1700 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 18 В
• 20 A
• 70 mOhm
• 60 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 7.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 120 A
• 3,7 mOhm
• 310 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5100 pF / 25 V | Заряд затвора: 210 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 3,5 A
• 3,7 Ohm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1154 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 350 V
• 15 A
• THT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 600 V
• THT
• 4 A

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 60 V
• THT
• 30 A

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 75 V
• THT
• 80 A

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 8 A
• THT

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 900 V
• THT
• 5.8 A
• 1350

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A
• 1500

• Биполярные NPN
• ST
• TO-220
• 100 V
• 100 V
• 8.0 А
• THT

• 10..60
• 5 A
• 10 V
• 850 V
• 550 V
• ST
• TO-220
• Биполярные NPN+Di

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.45 | Время включения: 11ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 57 nC

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 800 V
• 4 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 1600

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 60 V
• 6 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 12 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 11 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 34.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 22.5ns...