Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип IGBT. Сторінка 3

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• Silan Microelectronics

• IGBT
• AOS

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 450 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 572 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 572 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 370 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 242 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 123 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 25 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 146 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 146 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 200 А
• 1071 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 743 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 235 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 34ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 80 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 190 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3-46
• 600 V
• 160 А
• 833 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 703 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 173 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 95ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 210 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 306 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 51ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 225 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 47ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 30 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 28ns | Час...