Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип IGBT

• IGBT

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• Jcst
• IGBT
• 650 V
• 60 A
• 30 A
• 1,75 V
• 234 Вт
• 120 А
• есть

• IGBT

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• есть
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• есть
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• IGBT

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 7 A
• 28 A
• 1,95 V
• 24 Вт
• 46
• есть
• 160 нс
• 28 А
• 30 нс
• 136 н

• Silanmicro
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 2,2 V
• 235 Вт
• 150 А
• есть

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 120 А
• 450 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 110 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 55ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• есть
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 67 A
• 48 A
• 1,6 V
• 246 Вт
• 177
• 120 А
• есть
• 222 нс
• 120 А
• 18 нс
• 144 н