Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип IGBT. Страница 23

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 192 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 12ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 600 V
• 95 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 45 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 167 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 23ns |...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• IGBT

Примечание: Производитель: Alfa@Omega | Корпус: PG-TO247-3 | Vces: 600 V | Vce: 1,8 V | Ic 25: 70 A | Ic 100: 40 A | Pd 25: 290 W | td(on)/td(off)...

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 49 A
• 27 A
• 1,5 V
• 160 Вт
• 100
• 200 А
• нет
• 240 нс
• 26 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,75 V
• 357 Вт
• 150
• есть
• 94 нс
• 200 А
• 29 нс
• 58 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 290 Вт
• 120
• 120 А
• есть
• 112 нс
• 24 нс
• 45 н

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W

• IGBT
• Ir
• TO-220AB
• 600 V
• 2.05 V
• 40 A
• 20 A
• 160 W

• IGBT
• Fairchild
• TO-220
• 600 V
• 1.65 V
• 24 A
• 104 W