Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип IGBT. Страница 21

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• INFIN

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 157 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 25ns | ...

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• есть
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• есть
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 60 A
• 1,85 V
• 428 Вт
• 95
• есть
• 142 нс
• 200 А
• 42 нс
• 110 н

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 290 Вт
• 100
• 120 А
• есть
• 110 нс
• 18 нс
• 32 н

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• есть
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• IGBT
• MASPOWER