Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип IGBT. Сторінка 4

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 23ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 71 А
• 357 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 207 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 210 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 116 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 592 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.35 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 180ns | Час...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.35 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 36ns | Час...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 166 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 0.14 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 26ns | Час...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 138 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.12 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 103ns | Час...

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 240 А
• 893 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.86 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Час включення: 282ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 91 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 570 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 222 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 42ns | Час...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 30 А
• 105 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 16ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 44 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 28 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 28 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 20ns | Час виключення:...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 54 А
• 167 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 78 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 17ns | Час виключення:...

• IGBT
• LUXIN
• SMD
• D2PAK
• 236 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 29ns | Час виключення: 46ns

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 160 А
• 390 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 370 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...