Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип IGBT. Сторінка 2

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• є
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 239

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 483 Вт
• 2.05 V
• ні
• 160 А
• 290 нс
• 30 нс

Примітка: Маркування: G40H1203 | Повний заряд затвора, нКл: 185

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• є
• 132 нс
• 128 нс

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 114

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 53 A
• 38 A
• 200 Вт
• 1.6 V
• ні
• 90 А
• 179 нс
• 15 нс

Примітка: Маркування: G30DTP | Повний заряд затвора, нКл: 130

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• є
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 110

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• є
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 46

• IGBT

Примітка: Виробник: Alfa@Omega | Корпус: PG-TO247-3 | Vces: 600 V | Vce: 1,8 V | Ic 25: 70 A | Ic 100: 40 A | Pd 25: 290 W | td(on)/td(off) 100-150...

• 7.7 A
• 14.3 A
• 34 W
• 1.66 V
• 600 V
• Ir
• TO-220
• IGBT

• 22 A
• 215 A
• 215 W
• 2.05 V
• 600 V
• Ir
• TO-220AB
• IGBT

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2 V
• 170 Вт
• є
• 30 нс
• 90 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 22 A
• 2,05 V
• 220 Вт
• 68
• 80 А
• є
• 115 нс
• 42 А
• 20 нс
• 42 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• є
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 100 A
• 50 A
• 1,85 V
• 333 Вт
• 315
• 200 А
• ні
• 235 нс
• 23 нс

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• є
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 1,65 V
• 375 Вт
• 287
• є
• 328 нс
• 58 нс

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 56 A
• 1,6 V
• 305 Вт
• 120
• 150 А
• ні
• 175 нс
• 21 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 50 A
• 25 A
• 2,05 V
• 326 Вт
• 115
• 100 А
• ні
• 347 нс
• 26 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 2,3 V
• 236 Вт
• 115
• 120 А
• є
• 85 нс
• 40 нс
• 60 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,4 V
• 186 Вт
• 120
• 45 А
• є
• 160 нс
• 45 А
• 15 нс
• 330 н

• Ixys
• IGBT
• 1200 V
• 164 A
• 82 A
• 3,2 V
• 1040 Вт
• 215
• 320 А
• є
• 192 нс
• 29 нс
• 420 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 96 A
• 48 A
• 1,65 V
• 330 Вт
• 95
• 144 А
• є
• 145 нс
• 175 А

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 49 A
• 27 A
• 1,5 V
• 160 Вт
• 100
• 200 А
• ні
• 240 нс
• 26 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 140 A
• 120 A
• 1,85 V
• 714 Вт
• 625
• 300 А
• ні
• 265 нс
• 30 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 12 A
• 6 A
• 1,65 V
• 100 Вт
• 48
• 18 А
• є
• 127 нс
• SMD
• 18 А
• 12 нс
• 68 н