Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 5

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Біполярні PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• 1 A
• 50 V
• 45 V
• Diotec
• SOT-23
• SMD
• Біполярні NPN

• Diotec
• 300 MHz
• 0.6 A
• 180 V
• 160 V
• SOT-23
• SMD
• Біполярні NPN

• Інше
• Не вказано
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.19 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT-23
• 60 V
• 0,5 А
• 0,25 W
• 2000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 650ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• 68
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.4

• Інше
• TI
• SMD
• SO14-150
• -40...+85°C

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,5 А
• 0,36 W
• 4000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 11ns | Час виключення: 72ns

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300