Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• ST
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 55 V
• 15 В
• 60 A
• 15 mOhm
• 100 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2V / 250µA | Ємність затвора: 1950 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 5 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 4,7 A
• 800 mOhm
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 415 pF / 25V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V

• ST
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 16 В
• 25 A
• 35 mOhm
• 100 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 1710 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 5 V | Діапазон номінальних напруг...

• Jsmsemi
• D-Pak
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 14 mOhm
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 2000 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...