Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 4

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.3V / 250µA | Ємність затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 8 A
• 13 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 1950pF / 20V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Інше
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,8 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.3V / 250µA | Ємність затвора: 3120 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 4,6 mOhm
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 2300 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 12 В
• 28 A
• 3,3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.2V / 250µA | Ємність затвора: 2250 pF / 15 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.1V / 250µA | Ємність затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• Біполярні NPN
• Nxp
• SOT-23
• 350 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 300
• SMD

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 40
• SMD

• Біполярні NPN
• Bl
• SOT-23
• 150 MHz
• 25 V
• 40 V
• 0.5 A
• 400
• SMD

• Польові N-канальні
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 17 A
• 480

• Біполярні NPN
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-252
• 60 V
• SMD
• 50 A
• 3779

• Umw
• Польові N-канальні
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 4 A
• 35 mOhm
• 7 nC
• 20 V

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• TO-252
• 105 V
• 28 A
• 28 mOhm
• 46 nC
• 25 V

• Nexperia
• SOT-23
• Біполярні NPN
• 230 MHz
• 50 V
• 50 V
• 0.1 A
• 100
• SMD

• Sptech
• TO-3
• Біполярні NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• NXP Semiconductors
• SOT223
• Біполярні PNP
• 20 V
• 32 V
• 2 А
• 5 V
• 140 MHz
• 1.35 Вт
• 160 - 375
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-252-2L
• Біполярні NPN + Diode
• 100 V
• 100 V
• 2 А
• 5 V
• 25 MHz
• 1.75 Вт
• 1000 - 12000
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні PNP
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 6 V
• 200 MHz
• 0.5 Вт
• 180 - 390
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний