Транзисторы для электронных компонентов. Тип Биполярные NPN. Страница 18

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• 360 V
• 0,1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,03 А
• 320
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• MIT
• THT
• TO-220
• 17 V
• 0,6 А
• 180
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-39
• 120 V
• 2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• 32 V
• 0,5 А
• 390
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Sony
• THT
• TO-92-3
• 18 V
• 2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• MAT
• THT
• TO-220
• 50 V
• 2 А
• 220
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 70

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-92
• 20 V
• 0,03 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Sony
• THT
• TO-3
• 750 V
• 2 А
• 14
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 750

• Биполярные NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,05 А
• 1200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Биполярные NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 1000

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Vishay
• TO-247AC
• Биполярные NPN

• 250
• 1 A
• 1 Вт
• 100 V
• 80 V
• 6 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 0.1 А
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• 0.8 А
• 75 V
• 40 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN

Примечание: J3Y, 10 шт.

• 420..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 110..450
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Nexperia
• Биполярные NPN
• 100 МГц