Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Страница 86

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 60 A
• 13 mOhm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 280 pF / 20 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Isc
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 В
• 12 A
• 0,6 Ohm
• 125 W

Примечание: Ёмкость затвора: 180 pF

• Ir
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 72,5 mOhm
• 60 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 550 pF / 50 V | Заряд затвора: 15 nC | Диапазон номинальных напряжений...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 100 A
• 4 mOhm
• 63 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.1V / 50µA | Ёмкость затвора: 3770 pF / 10 V | Заряд затвора: 72 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 15 A
• 280 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 675µA | Ёмкость затвора: 1660 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V

• INFIN
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 120 A
• 2,3 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 208µA | Ёмкость затвора: 12100 pF / 40 V | Заряд затвора: 166 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 100 A
• 7,8 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5600 pF / 25 V | Заряд затвора: 250 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 59 A
• 9,5 mOhm
• 57 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 1210 pF / 15 V | Заряд затвора: 15 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Diotec
• SOP-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 120 A
• 4,5 Ohm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 4600 pF / 25 V | Заряд затвора: 135 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 160 A
• 7,3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 572 pF / 75 V | Заряд затвора: 79 nC / 10 V

• Central Semiconductor
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 0,01 A
• -65…+150°C

• 18 A
• 67
• 200 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 86 A
• 8
• 30 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 4.1 A
• 800 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• NEC
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 7,6 A
• 30 В
• 0,51 W
• 20 В
• 24 A
• 7,2

• Microchip
• Полевые N-канальные
• 0,17 A
• 400 В
• 1,6 W
• 20 В
• 0,5 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 50 A
• 70 A
• 100 В
• 47 W
• 20 В
• 420 A
• 90

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 1,5 A
• 100 В
• 3,1 W
• 10 В
• 6,1

• A&O
• Полевые N-канальные
• 3,3 A
• 5 A
• 500 В
• 35 W
• 30 В
• 18 A

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 36 A
• 650 В
• 277 W
• 30 В
• 100 A
• 46

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 2 A
• 60 В
• 0,5 W
• 20 В
• 8 A

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 28 A
• 100 В
• 150 W
• 10 В
• 110 A
• 64

• Полевые N-канальные
• Magnachip
• PDFN-56
• 30 V
• SMD
• 66 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• D2PAK (TO-263)
• 20 V
• SMD
• 47 A