Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Корпус PQFN

• Ir
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 13 A
• 8,6 mOhm
• 2.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1060pF / 15V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V

• INFIN
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 40 A
• 1,4 mOhm
• 3.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 7200 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 23 A
• 4,1 mOhm
• 3.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2380 pF / 10 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...