Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Сопротивление 4 Ohm

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 10 В
• 4 Ohm
• 3 W
• -45…+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 12.5 pF / 7.2 V

• NEC
• TO-3P-ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 5 A
• 4 Ohm
• 120 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 950 pF / 10 V

• NEC
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 5 A
• 4 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 790 pF / 10 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ixys
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 15 В
• 0,36 A
• 4 Ohm
• 1.1 W
• -55...+125°C

Примечание: Ёмкость затвора: 350 pF / 25 V

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 10mA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V