Транзисторы для электронных компонентов

• TOS
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,25 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• MDD
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 8 A
• 35 A
• 100 В
• 40 W
• 20 В
• 18

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 15,8 A
• 600 В
• 40 W
• 30 В
• 63,2 A
• 38

• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 V
• 2.5 А
• 2 ... 5 V
• 40 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• VISH/IR
• TO-220ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 3,5 A
• 1,2 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220FULLPACK
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 20 В
• 5,4 A
• 550 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 10 A
• 850 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1620 pF / 100 V | Заряд затвора: 51 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 14 A
• 340 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 2260 pF / 25 V | Заряд затвора: 106 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 30 A
• 12 mOhm
• 40 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 210.1 pF / 10 V | Заряд затвора: 23.5 nC / 4.5V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220FULLPACK
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 8 A
• 650 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 470µA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 100 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 43 A
• 13,8 mOhm
• 40 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 780 pF / 15 V | Заряд затвора: 7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 10mA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V

• Fair
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 2,3 A
• 3,5 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 1457 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 9 A
• 800 В
• 40 W
• 30 В
• 36 A
• 72

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 3,5 A
• 600 В
• 40 W
• 20 В
• 60

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 8 A
• 900 В
• 40 W
• 30 В
• 32 A
• 72

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 26 A
• 37 A
• 100 В
• 40 W
• 20 В
• 148 A
• 135

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 4,6 A
• 500 В
• 40 W
• 20 В
• 67

• Fujitsu
• Полевые N-канальные
• 4 A
• 800 В
• 40 W
• 30 В
• 16A

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 5,4 A
• 400 В
• 40 W
• 20 В
• 66

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 900 В
• 40 W
• 30 В
• 15 A
• 28