Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Сопротивление 5,5 mOhm

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 80 A
• 5,5 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 52.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 669 pF / 40 V | Заряд затвора: 68 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 5,5 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 356 pF / 25V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 75 A
• 5,5 mOhm
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• Crmicro
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1057 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 20 A
• 5,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...