Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Pd 25 252 W

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 0,27 Ohm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 25 V | Заряд затвора: 58.38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 35 A
• 99 mOhm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 133 pF / 100 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V