Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Страница 46

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 9 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 32 A
• 13,5 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1450 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 23 A
• 24 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1170 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 85 A
• 4,3 mOhm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1075pF / 15V | Заряд затвора: 65nC / 4.5V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 32 A
• 6,1 mOhm
• 33 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 920pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10 V

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 17 A
• 6,2 mOhm
• 21 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1540pF / 15V | Заряд затвора: 45nC / 10V | Диапазон номинальных...

• 96 A
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 2.7 A
• 11
• 60 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 3.4 A
• 400 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 50 A
• 40 V
• D-Pak (TO-252)
• SMD
• Полевые N-канальные

• 16 A
• 44
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 4.2 A
• 8
• 20 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 2 A
• 400 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 5 A
• 60 V
• APE
• THT
• Полевые N-канальные

• 3.8 A
• 800 V
• ST
• THT
• Полевые N-канальные

• 61 A
• 58
• 30 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 1.4 A
• 1000 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 22 A
• 500 В
• 277 W
• 30 В
• 120

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 3,16 A
• 30 В
• 0,75 W
• 20 В
• 3

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 38,8 A
• 600 В
• 270 W
• 30 В
• 155 A
• 85

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 9 A
• 800 В
• 40 W
• 30 В
• 36 A
• 72

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 75 A
• 55 В
• 200 W
• 20 В
• 110

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3,7 A
• 5,8 A
• 600 В
• 55 W
• 30 В
• 23 A
• 42