Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-220. Страница 2

• Биполярные NPN
• Sanyo
• TO-220
• 150 MHz
• 75 V
• 80 V
• 0.125
• 200
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 41 A
• 1700

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 200 V
• THT
• 0.375
• 600

• Биполярные NPN
• On
• TO-220
• 30 MHz
• 250 V
• 250 V
• 8.0 А
• 70
• THT

• Биполярные PNP
• On
• TO-220
• 30 MHz
• 250 V
• 250 V
• 8.0 А
• 70

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 40 V
• THT
• 75 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Биполярные NPN
• Cj
• TO-220
• 10 MHz
• 400 V
• 400 V
• 7.0 А
• THT

• Полевые N-канальные
• Siliconix
• TO-220
• 100 V
• THT
• 9.2 A
• 360

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Другое

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 530 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 42 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 9ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 18ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 188ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 24 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 12ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...