Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 3

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.6V / 250µA | Ємність затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247AC
• 100 V
• THT
• 120 A

• Біполярні NPN
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 0.25
• 75
• THT

• Біполярні NPN
• TO-92
• 250 MHz
• 60 V
• 60 V
• 0.8 A
• 300
• THT

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 150 V
• THT
• 104 A

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 110 A
• 3450

• Біполярні NPN
• Fujitsu
• TO-3PN
• 400 V
• 500 V
• 15 A
• 10
• THT

• 300 MHz
• 0.8 A
• 60 V
• 30 V
• Cdli
• TO-18
• THT
• Біполярні NPN

• Jilin Sino-Microelectronics.
• TO-220
• Біполярні NPN + Diode
• 400 V
• 700 V
• 4 А
• 9 V
• 4 MHz
• 75 Вт
• min 5
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-126
• Біполярні NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 90 MHz
• 1.25 Вт
• 160 - 320
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 135 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Не вказано
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 9,5 A
• 0,95 Ohm
• 178 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 210 pF / 25 V

• Utc
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 108 A
• 5,3 mOhm
• 107 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 1mA | Ємність затвора: 500 pF / 25 V | Заряд затвора: 310 nC / 5 V | Діапазон номінальних напруг затвора:...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ONS-FAIR
• TO-220AB
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 11 A
• 380 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 1490 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 38 A
• 109 mOhm
• 322 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 97 pF / 50 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 15 A
• 260 mOhm
• 33.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 74 pF / 0 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 180 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 680 pF / 30 V | Заряд затвора: 67 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...