Транзистори для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Pd 25 230 W

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 0.25us | Час виключення: 0.37us

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 124ns

• INFIN
• TO-262
• THT
• Польові N-канальні
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 4,9 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 4780 pF / 25 V | Заряд затвора: 180 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• TO-247AC
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 97 A
• 9 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 150µA | Ємність затвора: 4820 pF / 50 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 150µA | Ємність затвора: 4520 pF / 50 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...