Транзистори для електронних компонентів. Бренд Renesas. Тип монтажу THT

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 54ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примітка: Час включення: 45ns | Час виключення: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 74 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 53ns | Час виключення: 90ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 69 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 35ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 63ns | Час виключення: 142ns

• Біполярні NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Renesas
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 1500 V
• 20 В
• 2,5 A
• 12 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примітка: Ємність затвора: 990 pF / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 15V

• Renesas
• TO-3P(N)
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 20 В
• 6 A
• 1,25 Ohm
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.5V / 1mA