Транзисторы для электронных компонентов. Бренд DIODES. Страница 2

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 2 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,28 A
• 5 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 5V / 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,45 A
• 2 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 0,12 A
• 30 Ohm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,6V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 240 V
• 40 В
• 0,2 A
• 9 Ohm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 200 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• SOT363
• SMD
• Полевые N-канальные
• 50 V
• 20 В
• 0,2 A
• 3,5 Ohm
• 200 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 10 V

• DIODES
• SOT323
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 6 В
• 820mA A
• 750 mOhm
• 310 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 59.76 pF / 16 V | Заряд затвора: 0.622 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT26
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 6 A
• 35 mOhm
• 1.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 10 V | Заряд затвора: 23.1 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23-3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 2,4 A
• 160 mOhm
• 840 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 156 pF / 6 V | Заряд затвора: 3.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT23-3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,075 A
• 20 Ohm
• 330 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 50 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 3,3 A
• 72 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 708 pF / 15 V | Заряд затвора: 15.9 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4,3 A
• 45 mOhm
• 800 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 634 pF / 10 V | Заряд затвора: 6.8 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 141 pF / 50 V | Заряд затвора: 3.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4 A
• 38 mOhm
• 940 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 339 pF / 10 V | Заряд затвора: 4.3 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 0,32 A
• 10 Ohm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V