Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.42 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 170

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.135 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 2 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 0,9 А
• 50000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.75 | Напряжение коллектор-база, В: 120