Транзисторы для электронных компонентов. Бренд DIODES. Корпус SOT-23

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.135 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 3,3 A
• 72 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 708 pF / 15 V | Заряд затвора: 15.9 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4,3 A
• 45 mOhm
• 800 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 634 pF / 10 V | Заряд затвора: 6.8 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 4 A
• 38 mOhm
• 940 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 339 pF / 10 V | Заряд затвора: 4.3 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...