Транзисторы для электронных компонентов. Бренд DIODES. Корпус TO-92

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 240 V
• 40 В
• 0,2 A
• 9 Ohm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 200 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V