Транзистори для електронних компонентів. Бренд DIODES. Корпус TO-92

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• DIODES
• TO-92
• THT
• Польові P-канальні
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 1mA | Ємність затвора: 120 pF / 25 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Польові P-канальні
• 240 V
• 40 В
• 0,2 A
• 9 Ohm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2V / 1mA | Ємність затвора: 200 pF / 25 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 3,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Польові N-канальні
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.5V / 1mA | Ємність затвора: 85 pF / 25 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 1mA | Ємність затвора: 75 pF / 25 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 10V