Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Sptech
• TO-3
• Биполярные NPN
• 250 V
• 400 V
• 16 А
• 5 V
• 4 MHz
• 250 Вт
• 15 - 60
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 6 V
• 200 MHz
• 0.5 Вт
• 180 - 390
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 160 - 320
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 1 A
• 50 V
• 45 V
• Diotec
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• Diotec
• 300 MHz
• 0.6 A
• 180 V
• 160 V
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT-23
• 60 V
• 0,5 А
• 0,25 W
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 15
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,5 А
• 0,36 W
• 4000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Jscj
• SOT-23
• 170 MHz
• 60 V
• 80 V
• 0.5 A
• SMD

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• SMD

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-223
• 4 GHz
• 18 V
• 25 V
• 0.15 A
• 70
• SMD

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-23
• 230 MHz
• 50 V
• 50 V
• SMD

• Биполярные NPN
• On
• SOT-23
• 50 V
• 50 V
• 0.1 A
• 60
• SMD

• Биполярные NPN
• Cdil
• SOT-32
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• SMD

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.5 A
• 600
• SMD