Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Тип монтажа THT. Страница 3

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 298 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 19ns |...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 60 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 6ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 428 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 74ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 357 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 341 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 65ns | ...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 48 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 61 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 530 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 42 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 9ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 260 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 80ns |...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.77 | Время выключения: 115ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 30 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 22ns | Время выключения: 177ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 30 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 165 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 21ns | Время выключения: 207ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 25.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 90 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 20 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 75 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 306 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 51ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 187 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 18ns | ...