• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT STGW80H65DFB

Транзистор IGBT STGW80H65DFB

5

Код: 627773

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 469 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 414 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 84ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

Транзистор IGBT STGW75H65DFB2-4

4

Код: 627696

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 71 А
  • 357 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 207 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 22ns |...

В наличии

Транзистор IGBT STGW20V60DF

Транзистор IGBT STGW20V60DF

4

Код: 627586

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 40 А
  • 167 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 116 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.3 | Время включения: 38ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT STGW19NC60HD

Транзистор IGBT STGW19NC60HD

5

Код: 627794

  • IGBT
  • ST
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 42 А
  • 140 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 25ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT SGT60N60FD1P7

Транзистор IGBT SGT60N60FD1P7

5

Код: 627672

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247-3L
  • 600 V
  • 120 А
  • 321 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 179 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 36ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT DG50X12T2

Транзистор IGBT DG50X12T2

5

Код: 627571

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 592 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 180ns...

В наличии

Транзистор IGBT DG50X07T2

Транзистор IGBT DG50X07T2

5

Код: 627570

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 50 А
  • 714 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.35 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 36ns...

В наличии

Транзистор IGBT DG50Q12T2

Транзистор IGBT DG50Q12T2

4

Код: 627572

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 672 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT DG20X06T2

Транзистор IGBT DG20X06T2

4

Код: 627569

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 42 А
  • 166 W
  • -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 0.14 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 26ns...

В наличии

Транзистор IGBT DG15X12T2

Транзистор IGBT DG15X12T2

4

Код: 627568

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 30 А
  • 138 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.12 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 103ns...

В наличии

Транзистор IGBT DG120X07T2

Транзистор IGBT DG120X07T2

5

Код: 627573

  • IGBT
  • STARPOWER
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 240 А
  • 893 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.86 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.4 | Время включения: 282ns...

В наличии

Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7

Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7

5

Код: 627857

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 50 А
  • 278 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2

В наличии

Транзистор IGBT SGT40T120FD1P7

Транзистор IGBT SGT40T120FD1P7

4

Код: 627702

  • IGBT
  • Silan Microelectronics
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 80 А
  • 570 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 222 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 42ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE30TD60B

Транзистор IGBT NCE30TD60B

4

Код: 627621

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-220
  • 600 V
  • 60 А
  • 190 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 132 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE20TD60BF

Транзистор IGBT NCE20TD60BF

5

Код: 627872

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-220F
  • 600 V
  • 40 А
  • 34,5 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE15TD60BF

Транзистор IGBT NCE15TD60BF

4

Код: 627815

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-220F
  • 600 V
  • 30 А
  • 34 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 16ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT HGTG12N60A4

Транзистор IGBT HGTG12N60A4

4

Код: 627835

  • IGBT
  • ONS-FAIR
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 54 А
  • 167 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 17ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT XNF15N60T

Транзистор IGBT XNF15N60T

5

Код: 627724

  • IGBT
  • Xiner
  • THT
  • TO-220F
  • 600 V
  • 30 А
  • 38 W
  • -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE80TD65BT

Транзистор IGBT NCE80TD65BT

5

Код: 627753

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 160 А
  • 390 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE80TD60BT

Транзистор IGBT NCE80TD60BT

4

Код: 627754

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 160 А
  • 390 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE60TD65BT

Транзистор IGBT NCE60TD65BT

4

Код: 627730

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 120 А
  • 319 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE50TD120VT

Транзистор IGBT NCE50TD120VT

4

Код: 627769

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 1200 V
  • 100 А
  • 535 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 370 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE40TD65BT

Транзистор IGBT NCE40TD65BT

4

Код: 627671

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 650 V
  • 80 А
  • 286 W
  • -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT NCE40TD60BT

Транзистор IGBT NCE40TD60BT

5

Код: 627670

  • IGBT
  • NCE
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 80 А
  • 286 W
  • -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

В наличии

Страница 2 из 13