Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Тип монтажа THT

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 88ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 60 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 21ns | ...