Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон …+150°C. Страница 10

• Биполярные PNP
• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 600
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Panasonic
• THT
• 700 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7.7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-3PN
• 800 V
• 7 А
• 8
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• Nxp
• SOT143
• SMD
• Полевые N-канальные
• 12 V
• …+150°C